WMF05N70MM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMF05N70MM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de WMF05N70MM MOSFET
WMF05N70MM Datasheet (PDF)
wmf05n70mm.pdf

WMF05N70MM 700V ener-pro Power M TV 1.2 Ze otected P MOSFETDescripptionWMOSTM MM is Wa new generatio super ayons w on junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily Dbalance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM MM is S ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h G power density an
Otros transistores... WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , IRF740 , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 .
History: FDT1600N10ALZ | SEF40604 | SIHD4N80E | GKI04048 | MTM98240 | IRLR024ZPBF | 30N20A
History: FDT1600N10ALZ | SEF40604 | SIHD4N80E | GKI04048 | MTM98240 | IRLR024ZPBF | 30N20A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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