WMF05N70MM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMF05N70MM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 11 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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WMF05N70MM Datasheet (PDF)

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wmf05n70mm.pdf

WMF05N70MM 700V ener-pro Power M TV 1.2 Ze otected P MOSFETDescripptionWMOSTM MM is Wa new generatio super ayons w on junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily Dbalance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM MM is S ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h G power density an

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