WMF05N70MM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMF05N70MM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для WMF05N70MM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMF05N70MM даташит

 ..1. Size:588K  way-on
 wmf05n70mm.pdf pdf_icon

WMF05N70MM

WMF05N70MM 700V ener-pro Power M T V 1.2 Ze otected P MOSFET Descrip ption WMOSTM MM is Wa new generatio super ayon s w on junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily D balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re T and low ga ce. WMOSTM MM is S ate charge performanc suitable fo applicat which require superior or tions h G power density an

Другие IGBT... WMB80N06TS, WMB80P04TS, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1, IRF740, WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS, WMJ028N10HGS, WMJ10N100D1, WMJ11N150D1, WMJ12N120D1, WMX12N120D1, WMJ18N90D1