WML20N50D1 Todos los transistores

 

WML20N50D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML20N50D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML20N50D1 datasheet

 ..1. Size:1271K  way-on
wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf pdf_icon

WML20N50D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1 500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G G D D D S S S Features V =550V@

 8.1. Size:1344K  way-on
wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf pdf_icon

WML20N50D1

WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42 @V =10V

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History: FDD6030BL | WMK4N150D1

 

 

 


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