WMJ27N80D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ27N80D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 650 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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WMJ27N80D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1491K way-on
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WMJ27N80D1 800V 27A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =0.28@V =10V DS(on) GS 100% avalanch
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