WMJ27N80D1 Todos los transistores

 

WMJ27N80D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ27N80D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 650 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de WMJ27N80D1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMJ27N80D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  way-on
 wmj27n80d1.pdf pdf_icon

WMJ27N80D1

WMJ27N80D1 800V 27A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =0.28@V =10V DS(on) GS 100% avalanch

Otros transistores... WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , 10N60 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM .

History: SSF6816 | IPI05CN10N | NTR4101P | IRLU3636PBF | WSF70N10 | WMP10N80M3 | SFN423P

 

 
Back to Top

 


 
.