WMJ27N80D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ27N80D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 650 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de WMJ27N80D1 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WMJ27N80D1 datasheet
wmj27n80d1.pdf
WMJ27N80D1 800V 27A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =0.28 @V =10V DS(on) GS 100% avalanch
Otros transistores... WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , IRFP260N , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor