WMJ27N80D1 Todos los transistores

 

WMJ27N80D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ27N80D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 650 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ27N80D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1491K  way-on
 wmj27n80d1.pdf pdf_icon

WMJ27N80D1

WMJ27N80D1 800V 27A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =0.28@V =10V DS(on) GS 100% avalanch

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History: SSP7461P | FHD150N03A | NTMD4184PF | TMP3N50Z | MS10N60 | SM1F14NSFP | SML4065CN

 

 
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