WMJ4N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ4N150D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ4N150D1
WMJ4N150D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1527K way-on
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wmj4n150d1 wmx4n150d1 wmk4n150d1.pdf
WMJ4N150D1 WMX4N150D1 WMK4N150D1 1500V 4A 5.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-3PF TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G D G G S D D S S
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