WMJ4N150D1 Todos los transistores

 

WMJ4N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ4N150D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ4N150D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1527K  way-on
 wmj4n150d1 wmx4n150d1 wmk4n150d1.pdf pdf_icon

WMJ4N150D1

WMJ4N150D1 WMX4N150D1 WMK4N150D1 1500V 4A 5.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-3PF TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G D G G S D D S S

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History: TMA7N60H | HSBB3004 | RU30J30M3 | NCEP1520BK | IRFR3709ZT | HSBB8008 | SI7222DN

 

 
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