WMX4N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMX4N150D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 6.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PF
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WMX4N150D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1527K way-on
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WMJ4N150D1 WMX4N150D1 WMK4N150D1 1500V 4A 5.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-3PF TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G D G G S D D S S
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