Справочник MOSFET. WMX4N150D1

 

WMX4N150D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMX4N150D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для WMX4N150D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMX4N150D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1527K  way-on
 wmj4n150d1 wmx4n150d1 wmk4n150d1.pdf pdf_icon

WMX4N150D1

WMJ4N150D1 WMX4N150D1 WMK4N150D1 1500V 4A 5.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-3PF TO-247 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G D G G S D D S S

Другие MOSFET... WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , IRFP250N , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM , WMJ69N30DMH , WMJ80N60C4 , WMJ80N60F2 , WMJ80N65C4 , WMJ80N65F2 , WMJ90N60C4 .

History: KNB2910A | SKSS063N08N | FDMS3624S | HM4421C | MTP60N06HD | SMK0825FC | IPL60R255P6

 

 
Back to Top

 


 
.