WMX4N150D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMX4N150D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для WMX4N150D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMX4N150D1 даташит

 ..1. Size:1527K  way-on
 wmj4n150d1 wmx4n150d1 wmk4n150d1.pdf pdf_icon

WMX4N150D1

WMJ4N150D1 WMX4N150D1 WMK4N150D1 1500V 4A 5.4 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-3PF TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G D G G S D D S S

Другие IGBT... WML20N50D1, WMJ220N20HG3, WMJ27N80D1, WMJ3N120D1, WMO3N120D1, WMJ40N50D1, WMPN40N50D1, WMJ4N150D1, IRFB4115, WMK4N150D1, WMJ60N60EM, WMJ69N30DMH, WMJ80N60C4, WMJ80N60F2, WMJ80N65C4, WMJ80N65F2, WMJ90N60C4