WMJ9N90D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ9N90D1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: TO247
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WMJ9N90D1B datasheet
wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf
WMJ9N90D1B WML9N90D1B 900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very G D G S D robust and RoHS compliant. S Features Typ.R =0.88 @V =10V DS(on) GS 100% av
wmj9n150d1.pdf
WMJ9N150D1 1500V 9A 2.9 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features R =2.9 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free Ha
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