WMJ9N90D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMJ9N90D1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ9N90D1B

WMJ9N90D1B Datasheet (PDF)

..1. Size:1354K way-on
wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf

WMJ9N90D1B WML9N90D1B900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GDGSDrobust and RoHS compliant.SFeatures Typ.R =0.88@V =10VDS(on) GS 100% av

9.1. Size:1181K way-on
wmj9n150d1.pdf

WMJ9N150D11500V 9A 2.9 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDSFeatures R =2.9@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeHa

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Liste

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