WML9N90D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WML9N90D1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 65.4 nC
Tiempo de subida (tr): 71 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 202 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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WML9N90D1B Datasheet (PDF)
wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf
WMJ9N90D1B WML9N90D1B900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GDGSDrobust and RoHS compliant.SFeatures Typ.R =0.88@V =10VDS(on) GS 100% av
wmk9n50d1b wml9n50d1b wmo9n50d1b.pdf
WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S
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