STK103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.3 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

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STK103 Datasheet (PDF)

..1. Size:100K samhop
stk103.pdf

GrerrPPrPrProSTK103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.210 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.0A312 @ VGS=4.5VDDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXI

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Liste

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