WMM4N90D1B Todos los transistores

 

WMM4N90D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMM4N90D1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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WMM4N90D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1434K  way-on
 wmk4n90d1b wml4n90d1b wmm4n90d1b.pdf pdf_icon

WMM4N90D1B

WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D1B 900V 4A 1.85 N-ch Power MOSFET Description TO-263 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D And it is very robust and RoHS compliant. G G S D S G D S

 5.1. Size:1980K  way-on
 wml4n90d1 wmk4n90d1 wmm4n90d1.pdf pdf_icon

WMM4N90D1B

WML4N90D1WMK4N90D1 WMM4N90D1900V 4A 2.9 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220F TO-220 TO-263WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reduction TABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGrobust and RoHS compliant.GDSGSDSFeatures Typ.R =2.9

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History: BLS65R165-B | HY150N075T | DAMH160N200 | CS4N65A3HD | MSK7804 | FTK2N60F | SPP22N05

 

 
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