WMH7N65D1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMH7N65D1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 24.3 nC
Tiempo de subida (tr): 27.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMH7N65D1B
WMH7N65D1B Datasheet (PDF)
..1. Size:1960K way-on
wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf
wmk7n65d1b wmh7n65d1b wml7n65d1b wmo7n65d1b.pdf
WMK7N65D1B WMH7N65D1BWML7N65D1B WMO7N65D1B650V 7A 1.12 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerGGDDSSdensity and high efficiency. And it is veryTO-251-L3.5TO-252robust and RoHS compliant.TABTAB
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
