WML9N50D1B Todos los transistores

 

WML9N50D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML9N50D1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML9N50D1B datasheet

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WML9N50D1B

WMK9N50D1B WML9N50D1B WMO9N50D1B 500V 9A 0.68 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. D G And it is very robust and RoHS compliant. S G D S G D S

 9.1. Size:1354K  way-on
 wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf pdf_icon

WML9N50D1B

WMJ9N90D1B WML9N90D1B 900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very G D G S D robust and RoHS compliant. S Features Typ.R =0.88 @V =10V DS(on) GS 100% av

Otros transistores... WMH7N65D1B , WML7N65D1B , WMO7N65D1B , WMK80N04T1 , WMK80N06TS , WMK80N08TS , WMK90N08TS , WMK9N50D1B , IRF1404 , WMO9N50D1B , WML030N06HG4 , WML03N80M3 , WMN03N80M3 , WMM03N80M3 , WMO03N80M3 , WMP03N80M3 , WMK03N80M3 .

 

 

 

 

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