WMP16N65SR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMP16N65SR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 86 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMP16N65SR
WMP16N65SR Datasheet (PDF)
wml16n65sr wmk16n65sr wmm16n65sr wmn16n65sr wmp16n65sr wmo16n65sr.pdf
WML16N65SR, W 65SR, WM SR WMK16N6 MM16N65S WMN16N65SR, WMP16N6 MO16N65S65SR, WM SR 650V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
wml16n70sr wmk16n70sr wmm16n70sr wmn16n70sr wmp16n70sr wmo16n70sr.pdf
WML16N70SR, W 70SR, WM SR WMK16N7 MM16N70S WMN16N70SR, WMP16N7 MO16N70S70SR, WM SR 700V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
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