WMO18N65EM Todos los transistores

 

WMO18N65EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO18N65EM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO18N65EM Datasheet (PDF)

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wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf pdf_icon

WMO18N65EM

WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

 8.1. Size:708K  way-on
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf pdf_icon

WMO18N65EM

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

 8.2. Size:683K  way-on
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf pdf_icon

WMO18N65EM

WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50CWMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C

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wmo18n20t2.pdf pdf_icon

WMO18N65EM

WMO18N20T2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO18N20T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 200V, I = 18A DS DTO-252R

Otros transistores... WMN18N50C4 , WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , WML18N65EM , WMK18N65EM , WMM18N65EM , WMN18N65EM , WMP18N65EM , IRFZ24N , WML18N70EM , WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 .

History: SIS478DN | HIRF830F | SFG08R08DF | IPP126N10N3G | 60NM60G-T3P | SVD540F | NCE20P70G

 

 
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