WMO18N65EM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMO18N65EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO18N65EM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMO18N65EM даташит
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf
WML18 WMK18N6 8N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N6 8N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf
WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50C WMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C
wmo18n20t2.pdf
WMO18N20T2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO18N20T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 200V, I = 18A DS D TO-252 R
Другие MOSFET... WMN18N50C4 , WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , WML18N65EM , WMK18N65EM , WMM18N65EM , WMN18N65EM , WMP18N65EM , TK10A60D , WML18N70EM , WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 .
History: PFF2N60 | STF13N60DM2 | STE38NB50 | WMN25N70EM | CS40N20FA9E | PFB2N60 | 2SK3919-ZK
History: PFF2N60 | STF13N60DM2 | STE38NB50 | WMN25N70EM | CS40N20FA9E | PFB2N60 | 2SK3919-ZK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent




