DG4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG4N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO262
Búsqueda de reemplazo de DG4N60 MOSFET
DG4N60 Datasheet (PDF)
dg4n60.pdf
DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N
dg4n65.pdf
DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N
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Liste
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