CS55N25A8R-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS55N25A8R-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 63.6 nC
Tiempo de subida (tr): 179 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 463 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.069 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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CS55N25A8R-G Datasheet (PDF)
cs55n25a8r-g.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS55N25 A8R-G General Description VDSS 250 V CS55N25 A8R-G the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 69 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
cs55n25akr.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS55N25 AKR General Description VDSS 250 V CS55N25 AKR the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 69 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe
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CS55N10 N PD TC=25 250 W 2 W/ ID VGS=10V,TC=25 55 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.5 /W BVDSS VGS=0V,ID=5mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=27.5A 0.04 VGS th VDS=VGS,ID=1mA 2.0 4.5 V
cs55n06a4.pdf
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