WMN30N65EM Todos los transistores

 

WMN30N65EM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMN30N65EM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO262

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WMN30N65EM datasheet

 ..1. Size:656K  way-on
 wml30n65em wmk30n65em wmn30n65em wmm30n65em wmj30n65em.pdf pdf_icon

WMN30N65EM

WML30N6 MK30N65EM W 65EM, WM WMN30 WMM30N6 MJ30N65EM 0N65EM, W 65EM, WM 650V 0.135 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

 8.1. Size:663K  way-on
 wml30n80m3 wmk30n80m3 wmn30n80m3 wmm30n80m3 wmj30n80m3.pdf pdf_icon

WMN30N65EM

WML30N8 MK30N80M 80M3, WM M3 WMN3 MJ30N80M 30N80M3, WMM30N80M3, WM M3 800V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM M3

Otros transistores... WMJ28N65C4 , WML28N65F2 , WMK28N65F2 , WMN28N65F2 , WMM28N65F2 , WMJ28N65F2 , WML30N65EM , WMK30N65EM , AON7408 , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , WML340N20HG2 .

History: WML08N70C4 | WMM15N65C4 | IXFB132N50P3 | WML26N65SR | IRLZ24 | WMO18N50C4 | WMO16N70SR

 

 

 

 

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