Справочник MOSFET. WMN30N65EM

 

WMN30N65EM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMN30N65EM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для WMN30N65EM

 

 

WMN30N65EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  way-on
 wml30n65em wmk30n65em wmn30n65em wmm30n65em wmj30n65em.pdf

WMN30N65EM WMN30N65EM

WML30N6 MK30N65EM W 65EM, WMWMN30 WMM30N6 MJ30N65EM 0N65EM, W 65EM, WM 650V 0.135 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

 8.1. Size:663K  way-on
 wml30n80m3 wmk30n80m3 wmn30n80m3 wmm30n80m3 wmj30n80m3.pdf

WMN30N65EM WMN30N65EM

WML30N8 MK30N80M80M3, WM M3 WMN3 MJ30N80M30N80M3, WMM30N80M3, WM M3 800V 0.165 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga charge performanc WMOSTM M3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top