WMO20N15T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMO20N15T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 56.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO20N15T2

WMO20N15T2 Datasheet (PDF)

..1. Size:416K way-on
wmo20n15t2.pdf

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 150V, I = 20A DS DTO-252R

9.1. Size:649K way-on
wmo20p15ts.pdf

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = -150V, I = -20A DS DR

9.2. Size:600K way-on
wmo20p04t1.pdf

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features DS V = -40V, I = -20A DS DGR

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Liste

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