WMO20N15T2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO20N15T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO252

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WMO20N15T2 datasheet

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WMO20N15T2

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 150V, I = 20A DS D TO-252 R

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WMO20N15T2

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = -150V, I = -20A DS D R

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WMO20N15T2

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features D S V = -40V, I = -20A DS D G R

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