WMO20N15T2 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMO20N15T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMO20N15T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO20N15T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO20N15T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  way-on
 wmo20n15t2.pdf pdf_icon

WMO20N15T2

WMO20N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures SG V = 150V, I = 20A DS DTO-252R

 9.1. Size:649K  way-on
 wmo20p15ts.pdf pdf_icon

WMO20N15T2

WMO20P15TS 150V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P15TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = -150V, I = -20A DS DR

 9.2. Size:600K  way-on
 wmo20p04t1.pdf pdf_icon

WMO20N15T2

WMO20P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO20P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features DS V = -40V, I = -20A DS DGR

Другие MOSFET... WMO15N15T1 , WMO15N25T2 , WMO175N10HG4 , WMO175N10LG4 , WMO18N20T2 , WMO18P10TS , WMO190N03TS , WMO190N15HG4 , IRF9640 , WMO20P04T1 , WMO20P15TS , WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.