WMO30P10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMO30P10TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 119 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 115 nC
Tiempo de subida (tr): 38.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 151 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMO30P10TS
WMO30P10TS Datasheet (PDF)
wmo30p10ts.pdf
WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR
wmo30p03ts.pdf
WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
