WMO30P10TS Todos los transistores

 

WMO30P10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMO30P10TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WMO30P10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  way-on
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WMO30P10TS

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR

 8.1. Size:627K  way-on
 wmo30p03ts.pdf pdf_icon

WMO30P10TS

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R

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History: IPD530N15N3

 

 
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