Справочник MOSFET. WMO30P10TS

 

WMO30P10TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO30P10TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO30P10TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO30P10TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  way-on
 wmo30p10ts.pdf pdf_icon

WMO30P10TS

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR

 8.1. Size:627K  way-on
 wmo30p03ts.pdf pdf_icon

WMO30P10TS

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R

Другие MOSFET... WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , WMAA2N100D1 , WMO30P03TS , IRF840 , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 , WMO55N03T1 , WMO5N50D1B .

History: NVATS4A103PZ | FQA6N90

 

 
Back to Top

 


 
.