WMO30P10TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO30P10TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 38.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO30P10TS
WMO30P10TS Datasheet (PDF)
wmo30p10ts.pdf
WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures GTO-252 V = -100V, I = -35A DS DR
wmo30p03ts.pdf
WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFeatures S V = -30V, I = -30A GDS DTO-252R
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918