WMO30P10TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO30P10TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO30P10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO30P10TS даташит

 ..1. Size:989K  way-on
 wmo30p10ts.pdf pdf_icon

WMO30P10TS

WMO30P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO30P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G TO-252 V = -100V, I = -35A DS D R

 8.1. Size:627K  way-on
 wmo30p03ts.pdf pdf_icon

WMO30P10TS

WMO30P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO30P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S V = -30V, I = -30A G DS D TO-252 R

Другие IGBT... WMO25N10T1, WMO25P03TS, WMO25P04TS, WMO25P06T1, WMO28N15T2, WMO2N100D1, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, IRF840, WMO35N06T1, WMO35P04T1, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1, WMO50P04T1, WMO55N03T1, WMO5N50D1B