WMQ048NV6HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ048NV6HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

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WMQ048NV6HG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:660K way-on
wmq048nv6hg4.pdf

WMQ048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SMOSFET technology that has been especially tailored to minimize GSSSSGthe on-state resistance and yet maintain superior switching Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8Lswitching a

5.1. Size:616K way-on
wmq048nv6lg4.pdf

WMQ048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription DDDDDD DWMQ048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching ap

9.1. Size:616K way-on
wmq040n03lg2.pdf

WMQ040N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDDDDD DWMQ040N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

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Liste

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