WMQ048NV6HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ048NV6HG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ048NV6HG4 datasheet
wmq048nv6hg4.pdf
WMQ048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize G S S S S G the on-state resistance and yet maintain superior switching S performance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8L switching a
wmq048nv6lg4.pdf
WMQ048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D D D D D WMQ048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench S G S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize S S S G S the on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8L performance. This device is well suited for high efficiency fast switching ap
wmq040n03lg2.pdf
WMQ040N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ040N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8L device is well suited for high efficiency fast switching appl
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History: WMO95P06TS
History: WMO95P06TS
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