WMQ25P04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMQ25P04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ25P04T1

WMQ25P04T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:639K way-on
wmq25p04t1.pdf

WMQ25P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ25P04T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -40V, I = -25A DS DR

7.1. Size:601K way-on
wmq25p03t1.pdf

WMQ25P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ25P03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -30V, I = -25A DS DR

7.2. Size:590K way-on
wmq25p06ts.pdf

WMQ25P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ25P06TS uses advanced power trench technology that has been D DDDDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GsssssGsFeatures PDFN3030-8L V = -60V, I = -25A DS DR

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Liste

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