WMQ50N04T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ50N04T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Encapsulados: PDFN3030-8L
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WMQ50N04T1 datasheet
wmq50n04t1.pdf
WMQ50N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMQ50N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = 40V, I = 50A DS D R
wmq50p03t1.pdf
WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S G S S S S G S Features PDFN3030-8L V = -30V, I = -50A DS D R
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History: AP3P010H | DMP2004VK
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