WMQ50N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMQ50N04T1
Código: Q50N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3030-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMQ50N04T1
WMQ50N04T1 Datasheet (PDF)
wmq50n04t1.pdf
WMQ50N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ50N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 50A DS D R
wmq50p03t1.pdf
WMQ50P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ50P03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -30V, I = -50A DS DR
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Liste
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