WMR07P03TS Todos los transistores

 

WMR07P03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMR07P03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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WMR07P03TS datasheet

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WMR07P03TS

WMR07P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WMR07P03TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -30V, I = -7A DS D R

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WMR07P03TS

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WMR07P03TS

WMR07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G Description D D S D S D WMR07N06TS uses advanced power trench technology that has S D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = 60V, I = 7A DS D R

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