WMR15N03TS Todos los transistores

 

WMR15N03TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMR15N03TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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WMR15N03TS datasheet

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WMR15N03TS

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D D Description S D D D S S D WMR15N03TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D G Features DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS D R

 7.1. Size:599K  way-on
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WMR15N03TS

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D S Description D S D S D D WMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. D D Features DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS D R

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