WMR15N03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMR15N03TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-6L
Búsqueda de reemplazo de WMR15N03TS MOSFET
WMR15N03TS Datasheet (PDF)
wmr15n03ts.pdf
WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR
wmr15n02t1.pdf
WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR
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Liste
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