WMR15N03TS - описание и поиск аналогов

 

WMR15N03TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMR15N03TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для WMR15N03TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR15N03TS даташит

 ..1. Size:607K  way-on
 wmr15n03ts.pdf pdf_icon

WMR15N03TS

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D D Description S D D D S S D WMR15N03TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D G Features DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS D R

 7.1. Size:599K  way-on
 wmr15n02t1.pdf pdf_icon

WMR15N03TS

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D S Description D S D S D D WMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. D D Features DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS D R

Другие MOSFET... WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , AO4407A , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS .

History: BRCS60N02DP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.