WMR15N03TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMR15N03TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: DFN2020-6L
Аналог (замена) для WMR15N03TS
WMR15N03TS Datasheet (PDF)
wmr15n03ts.pdf

WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR
wmr15n02t1.pdf

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR
Другие MOSFET... WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , AO3407 , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS .
History: DMN3008SFG | 2SK1030A | AONV420A70 | WMM13N50C4 | R6012ANJ | AOLF66417 | STB45N65M5
History: DMN3008SFG | 2SK1030A | AONV420A70 | WMM13N50C4 | R6012ANJ | AOLF66417 | STB45N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023