WMR15N03TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMR15N03TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: DFN2020-6L
Аналог (замена) для WMR15N03TS
WMR15N03TS Datasheet (PDF)
wmr15n03ts.pdf
WMR15N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDDDescriptionSDD D SSDWMR15N03TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D D GFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 14.5A DS DR
wmr15n02t1.pdf
WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DSDescriptionDSDSDDWMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. DDFeatures DFN2020-6L V =20V, I = 15A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF710
History: IRF710
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918