WMS05P10TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMS05P10TS
   Código: S05P10S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMS05P10TS

WMS05P10TS Datasheet (PDF)

..1. Size:763K way-on
wms05p10ts.pdf

WMS05P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS05P10TS uses advanced power trench technology that has been DDespecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSGFeatures SOP-8L V = -100V, I = -4.5A DS DR

8.1. Size:790K way-on
wms05p04ts.pdf

WMS05P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS05P04TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSGFeatures SOP-8L V = -40V, I = -5A DS DR

8.2. Size:761K way-on
wms05p06t1.pdf

WMS05P06T1 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS05P06T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Dyet maintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -60V, I = -4.5A DS DSOP-8LR

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Liste

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