WMS05P10TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMS05P10TS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOP8
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WMS05P10TS datasheet
wms05p10ts.pdf
WMS05P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS05P10TS uses advanced power trench technology that has been D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S S G Features SOP-8L V = -100V, I = -4.5A DS D R
wms05p04ts.pdf
WMS05P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS05P04TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S S G Features SOP-8L V = -40V, I = -5A DS D R
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History: SMG2330N | JMPF7N65BJ
History: SMG2330N | JMPF7N65BJ
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