WMS05P10TS - описание и поиск аналогов

 

WMS05P10TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMS05P10TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WMS05P10TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS05P10TS даташит

 ..1. Size:763K  way-on
 wms05p10ts.pdf pdf_icon

WMS05P10TS

WMS05P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS05P10TS uses advanced power trench technology that has been D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S S G Features SOP-8L V = -100V, I = -4.5A DS D R

 8.1. Size:790K  way-on
 wms05p04ts.pdf pdf_icon

WMS05P10TS

WMS05P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS05P04TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S S G Features SOP-8L V = -40V, I = -5A DS D R

 8.2. Size:761K  way-on
 wms05p06t1.pdf pdf_icon

WMS05P10TS

Другие MOSFET... WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS , WMS05P06T1 , IRF540N , WMS06N10TS , WMS06N15T2 , WMS06P04T1 , WMS08DH04T1 , WMS08DN06TS , WMS08DP03TS , WMS08N06TS , WMS08P03T1 .

History: MS4N65 | SI3139K | MTM8N20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.