SL05N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL05N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL05N06A
SL05N06A Datasheet (PDF)
sl05n06a.pdf
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sl05n06z.pdf
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sl05n10a.pdf
SL05N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100VDS I 5.0A D R ( at V =10V) 180 mohmDS(ON) GS R ( at V =4.5V) 300 mohmDS(ON) GSGeneral Description Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recoveryApplications Consumer electronic po
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