SL05N06Z Todos los transistores

 

SL05N06Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL05N06Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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SL05N06Z Datasheet (PDF)

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SL05N06Z

SL05N06ZProduct SummaryFeatures Excellent package for good heat dissipation VDS RDS(ON) MAX ID MAX Ultra low gate charge 100m@10VD260V S1 5AD1 Low reverse transfer capacitance150m@4.5V Fast switching capability Avalanche energy specifiedApplicationD Power switching applicationSDGDSOT-89 top viewSchematic diagram05N06Z: Device code

 7.1. Size:974K  slkor
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SL05N06Z

SL05N06AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 60V DS I 5.0AD R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohmDS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Powe

 9.1. Size:1612K  slkor
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SL05N06Z

SL05N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100VDS I 5.0A D R ( at V =10V) 180 mohmDS(ON) GS R ( at V =4.5V) 300 mohmDS(ON) GSGeneral Description Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recoveryApplications Consumer electronic po

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