SL05N06Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL05N06Z
Código: 05N06Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL05N06Z
SL05N06Z Datasheet (PDF)
sl05n06z.pdf
SL05N06ZProduct SummaryFeatures Excellent package for good heat dissipation VDS RDS(ON) MAX ID MAX Ultra low gate charge 100m@10VD260V S1 5AD1 Low reverse transfer capacitance150m@4.5V Fast switching capability Avalanche energy specifiedApplicationD Power switching applicationSDGDSOT-89 top viewSchematic diagram05N06Z: Device code
sl05n06a.pdf
SL05N06AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 60V DS I 5.0AD R ( at V =10V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 120 mohmDS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low RDS(ON)Applications DC-DC Converters Powe
sl05n10a.pdf
SL05N10AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 100VDS I 5.0A D R ( at V =10V) 180 mohmDS(ON) GS R ( at V =4.5V) 300 mohmDS(ON) GSGeneral Description Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recoveryApplications Consumer electronic po
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