SL160N03R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL160N03R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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SL160N03R datasheet
sl160n03r.pdf
SL160N03R Description This Power MOSFET is produced using advanced TRENCH technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features PDFN5*6-8L V =30V I =160A DS D R = 1.5m @V =10V DS ON TYP GS R
Otros transistores... SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , IRF2807 , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 .
History: DMG1016V
History: DMG1016V
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