SL18N20 Todos los transistores

 

SL18N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL18N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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SL18N20 datasheet

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SL18N20

SL18N20 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description is silicon N-channel Enhanced The SL18N20 VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

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SL18N20

SL18N50F N-Channel Power MOSFET Features 18.0A, 500V, R =0.25 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Schematic diagram Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction TO-220F Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwi

Otros transistores... SL12N10 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , STF13NM60N , SL18N50F , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M .

 

 

 

 

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