Справочник MOSFET. SL18N20

 

SL18N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SL18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1444K  slkor
 sl18n20.pdf pdf_icon

SL18N20

SL18N20200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description is silicon N-channel EnhancedThe SL18N20 VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

 9.1. Size:534K  slkor
 sl18n50f.pdf pdf_icon

SL18N20

SL18N50FN-Channel Power MOSFET Features 18.0A, 500V, R =0.25@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche TestedSchematic diagram Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionTO-220FAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF640NL | PMN70XPE | AM50P02-09D | NTP2955 | IPS60R360PFD7S | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.