SL18N50F Todos los transistores

 

SL18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL18N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SL18N50F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SL18N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  slkor
 sl18n50f.pdf pdf_icon

SL18N50F

SL18N50FN-Channel Power MOSFET Features 18.0A, 500V, R =0.25@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche TestedSchematic diagram Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionTO-220FAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwi

 9.1. Size:1444K  slkor
 sl18n20.pdf pdf_icon

SL18N50F

SL18N20200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description is silicon N-channel EnhancedThe SL18N20 VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

Otros transistores... SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , AON6380 , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 .

History: STS65R580SS2TR | HY4008A | SVD540DTR | ME7114S

 

 
Back to Top

 


 
.