SL18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL18N50F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 165 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL18N50F
SL18N50F Datasheet (PDF)
sl18n50f.pdf
SL18N50FN-Channel Power MOSFET Features 18.0A, 500V, R =0.25@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche TestedSchematic diagram Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionTO-220FAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwi
sl18n20.pdf
SL18N20200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description is silicon N-channel EnhancedThe SL18N20 VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General
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