SL18N50F - описание и поиск аналогов

 

SL18N50F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SL18N50F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SL18N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL18N50F даташит

 ..1. Size:534K  slkor
 sl18n50f.pdf pdf_icon

SL18N50F

SL18N50F N-Channel Power MOSFET Features 18.0A, 500V, R =0.25 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Schematic diagram Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction TO-220F Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwi

 9.1. Size:1444K  slkor
 sl18n20.pdf pdf_icon

SL18N50F

SL18N20 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description is silicon N-channel Enhanced The SL18N20 VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

Другие MOSFET... SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , IRFZ24N , SL2016 , SL2026 , SL20N03 , SL20N10 , SL2102 , SL2192 , SL2302M , SL2309 .

History: SI6435ADQ-T1 | BSR302N | AFN4172WSS8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.