SL2319A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL2319A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SL2319A datasheet

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SL2319A

SL2319A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -40V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 90mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) DS(ON) GS 150mohm General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed switching Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise noted) A P

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SL2319A

SL2314 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SL2314 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.5A, RDS(ON)=25m (typ.)@VGS=4.5V m mode power field effect transistor is produced using 20V/2.5A, RDS(ON)=55 (typ.)@VGS=2.5V high cell density advanced trench technology.. 20V/2.0A, RDS(ON)=80m (typ.)@VGS=1.8V This high density process is

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SL2319A

SL2318 40V/4.1A N Channel Advanced Power MOSFET Features V(BR)DSS RDS(ON) Typ ID Max Low RDS(on) @VGS=10V 4.5V Logic Level Control 29m @ 10V N Channel SOT23 Package 40V 4.1A 36m @ 4.5V Pb-Free, RoHS Compliant Applications Load Switch DC/DC Converter Switching Circuits Power Management Order Information SOT23 Marking Product Package Pack

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SL2319A

SL2312 SOT-23 Package Information Dimensions in Millimeters Symbol MIN. MAX. A 0.900 1.150 A1 0.000 0.100 A2 0.900 1.050 b 0.300 0.500 c 0.080 0.150 D 2.800 3.000 E 1.200 1.400 E1 2.250 2.550 e 0.950TYP e1 1.800 2.000 L 0.550REF L1 0.300 0.500 0 8 www.slkormicro.com 3

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