SL2319A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL2319A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SL2319A Datasheet (PDF)
sl2319a.pdf
SL2319AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -40VDS I -4.4AD R ( at V =-10V) 90mohmDS(ON) GS R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS 150mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed switching Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)AP
sl2314.pdf
SL231420V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SL2314 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.5A, RDS(ON)=25m (typ.)@VGS=4.5V mmode power field effect transistor is produced using 20V/2.5A, RDS(ON)=55 (typ.)@VGS=2.5V high cell density advanced trench technology.. 20V/2.0A, RDS(ON)=80m (typ.)@VGS=1.8V This high density process is
sl2318.pdf
SL231840V/4.1A N Channel Advanced Power MOSFETFeatures V(BR)DSS RDS(ON) Typ ID Max Low RDS(on) @VGS=10V 4.5V Logic Level Control 29m @ 10V N Channel SOT23 Package 40V 4.1A36m @ 4.5V Pb-Free, RoHS Compliant Applications Load Switch DC/DC Converter Switching CircuitsPower ManagementOrder Information SOT23 Marking Product Package Pack
sl2312.pdf
SL2312SOT-23 Package Information Dimensions in Millimeters Symbol MIN. MAX.A 0.900 1.150A1 0.000 0.100A2 0.900 1.050b 0.300 0.500c 0.080 0.150D 2.800 3.000E 1.200 1.400E1 2.250 2.550e 0.950TYPe1 1.800 2.000L 0.550REFL1 0.300 0.500 0 8www.slkormicro.com3
sl2310.pdf
SL2310N-Channel Power MOSFET DGeneral Features G VDS =60V,ID =3A RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918