SL2333A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL2333A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL2333A

SL2333A Datasheet (PDF)

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sl2333a.pdf

SL2333AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -12VDS I -6AD R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS 40 mohm R ( at V =-2.5V)DS(ON) GS 50 mohm R ( at V =-1.8V)DS(ON) GS 70 mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low RDS(ON) High Speed switchingApplications Ba

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Liste

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