SL2343 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL2343
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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SL2343 Datasheet (PDF)
sl2343.pdf
SL2343P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.053 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 300.086 at VGS = - 4.5 V - 3.1APPLICATIONS Load Switch PA Switch(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewOrdering Information: SL2343ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2
fsl234.pdf
FSL234D, FSL234R4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 4A, 250V, rDS(ON) = 0.610 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
sl2347.pdf
SL2347 -30V/-5.0A P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Trench Power LV MOSFET technology VDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)45m@-10VD2S1-30V -5.0AD1 High Speed switching70m@-4.5VApplication Battery protectionD Load switch Power managementSD GSOT-23 top view Schematic diagramS47: Device codeS47GS
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Liste
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