SL3139T Todos los transistores

 

SL3139T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL3139T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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SL3139T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2406K  slkor
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SL3139T

SL3139TP -Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m@-4.5V-20V -0.66Am700 @-2.5V950m(TYP)@-1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Operated a

 8.1. Size:618K  slkor
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SL3139T

SL3139K Equivalent Circuit DP-Channel MOSFET GID V(BR)DSS RDS(on)MAX S 95 1 8 TYP 1. GATE Lead Free Product is Acquired 2. SOURCE 3. DRAIN Surface Mount Package P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Leve

 9.1. Size:1689K  slkor
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SL3139T

SL3134KN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 20V DS I 0.75A D R ( at V =4.5V) 350 mohmDS(ON) GS R ( at V =2.5V) 500 mohmDS(ON) GS ESD Protected Up to 3.0KV (HBM)General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capabilityApplications SOT-523 Load/Power Switching

Otros transistores... SL2347 , SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , 5N50 , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 , SL4406 , SL4407A , SL4409N , SL4410 .

History: VBA1405 | SRC60R360B | ME50N75T-G | NTD3817N-1G | WPM2005B | NCEP15T18T

 

 
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