SL3139T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL3139T
Código: 39K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL3139T
SL3139T Datasheet (PDF)
sl3139t.pdf
SL3139TP -Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m@-4.5V-20V -0.66Am700 @-2.5V950m(TYP)@-1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Operated a
sl3139k.pdf
SL3139K Equivalent Circuit DP-Channel MOSFET GID V(BR)DSS RDS(on)MAX S 95 1 8 TYP 1. GATE Lead Free Product is Acquired 2. SOURCE 3. DRAIN Surface Mount Package P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Leve
sl3134k.pdf
SL3134KN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 20V DS I 0.75A D R ( at V =4.5V) 350 mohmDS(ON) GS R ( at V =2.5V) 500 mohmDS(ON) GS ESD Protected Up to 3.0KV (HBM)General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capabilityApplications SOT-523 Load/Power Switching
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
