SL3139T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL3139T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL3139T

SL3139T Datasheet (PDF)

..1. Size:2406K slkor
sl3139t.pdf

SL3139TP -Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m@-4.5V-20V -0.66Am700 @-2.5V950m(TYP)@-1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Operated a

8.1. Size:618K slkor
sl3139k.pdf

SL3139K Equivalent Circuit DP-Channel MOSFET GID V(BR)DSS RDS(on)MAX S 95 1 8 TYP 1. GATE Lead Free Product is Acquired 2. SOURCE 3. DRAIN Surface Mount Package P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Leve

9.1. Size:1689K slkor
sl3134k.pdf

SL3134KN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 20V DS I 0.75A D R ( at V =4.5V) 350 mohmDS(ON) GS R ( at V =2.5V) 500 mohmDS(ON) GS ESD Protected Up to 3.0KV (HBM)General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capabilityApplications SOT-523 Load/Power Switching

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SL9926A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: