SL40P05Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL40P05Y
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
SL40P05Y Datasheet (PDF)
sl40p05y.pdf

SL40P05Y-40V P-Channel MOSFETFeaturesD High density cell design for ultra low RDSON Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipationSGSOT-23 top viewApplication Power switching application Hard switched and high frequency circuits DC-DC converterProduct SummaryVDS RDS(ON) MAX ID MAX90m@-10VD2-40
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SJ362
History: 2SJ362



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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