SL40P05Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL40P05Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SL40P05Y Datasheet (PDF)
sl40p05y.pdf

SL40P05Y-40V P-Channel MOSFETFeaturesD High density cell design for ultra low RDSON Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipationSGSOT-23 top viewApplication Power switching application Hard switched and high frequency circuits DC-DC converterProduct SummaryVDS RDS(ON) MAX ID MAX90m@-10VD2-40
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SI1056X | AP9478GM | IRFP3206PBF | 2SJ533 | ISCNH340B | CJBD3020 | UF1010A
History: SI1056X | AP9478GM | IRFP3206PBF | 2SJ533 | ISCNH340B | CJBD3020 | UF1010A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667