SL4406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL4406
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL4406

SL4406 Datasheet (PDF)

..1. Size:2267K slkor
sl4406.pdf

SL4406N-Channel MOSFETSOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11.0m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS 2

9.1. Size:433K slkor
sl4409n.pdf

SL4409NN-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 58m@4.5V20 V 2.3A@2.5V86m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20V Gate-Source

9.2. Size:952K slkor
sl4407a.pdf

SL4407AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID-12A RDS(ON)( at VGS=-20V)11mohm R ( at V =-10V)DS(ON) GS13mohm RDS(ON)( at VGS=-6V)17mohm R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS27mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Spee

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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