SL4406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4406
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 17(max) nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160(max) pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL4406
SL4406 Datasheet (PDF)
sl4406.pdf
SL4406N-Channel MOSFETSOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11.0m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS 2
sl4409n.pdf
SL4409NN-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 58m@4.5V20 V 2.3A@2.5V86m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20V Gate-Source
sl4407a.pdf
SL4407AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID-12A RDS(ON)( at VGS=-20V)11mohm R ( at V =-10V)DS(ON) GS13mohm RDS(ON)( at VGS=-6V)17mohm R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS27mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Spee
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
