SL4406 Todos los transistores

 

SL4406 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL4406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SL4406 datasheet

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SL4406

SL4406 N-Channel MOSFET SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.5m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 11.0m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 2

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SL4406

SL4409N N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 58m @4.5V 20 V 2.3A @2.5V 86m 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKING Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source

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SL4406

SL4407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I D -12A R DS(ON)( at VGS=-20V) 11mohm R ( at V =-10V) DS(ON) GS 13mohm RDS(ON)( at VGS=-6V) 17mohm R ( at V =-4.5V) DS(ON) GS 27mohm General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Spee

Otros transistores... SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , SL3416 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 , IRF740 , SL4407A , SL4409N , SL4410 , SL4421 , SL4435A , SL4449A , SL4459 , SL4614 .

 

 

 


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