SL4407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4407A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL4407A
SL4407A Datasheet (PDF)
sl4407a.pdf
SL4407AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -30VDS ID-12A RDS(ON)( at VGS=-20V)11mohm R ( at V =-10V)DS(ON) GS13mohm RDS(ON)( at VGS=-6V)17mohm R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS27mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Spee
sl4409n.pdf
SL4409NN-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 58m@4.5V20 V 2.3A@2.5V86m1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Equivalent Circuit MARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20V Gate-Source
sl4406.pdf
SL4406N-Channel MOSFETSOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11.0m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-Source Voltage VGS 2
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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