SL4435A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL4435A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SL4435A Datasheet (PDF)

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sl4435a.pdf

SL4435A -30V/-10A P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)18m@10VD2S1-30V -10.5A High Speed switching D130m@4.5VDDDApplicationD Battery protection Power managementS Load switchSSGD D D DSOP-8 top view Schematic diagram4435: Dev

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: