SL4449A Todos los transistores

 

SL4449A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL4449A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL4449A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:784K  slkor
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SL4449A

SL4449A -30V/-7A P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)34m@10VD2S1-30V -7A High Speed switching D154m@4.5VApplicationD Battery protectionDD Power managementD Load switchD D D D SSSG4449A : Device codeXXXXXX : Code4449ASOP-8

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 4N65KG-T60-K | IRFR120TR | MRF5003 | AONS36316 | STP5N62K3 | RQK0608BQDQS

 

 
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