SL4449A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4449A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SL4449A MOSFET
SL4449A Datasheet (PDF)
sl4449a.pdf

SL4449A -30V/-7A P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)34m@10VD2S1-30V -7A High Speed switching D154m@4.5VApplicationD Battery protectionDD Power managementD Load switchD D D D SSSG4449A : Device codeXXXXXX : Code4449ASOP-8
Otros transistores... SL40P05Y , SL4184 , SL4406 , SL4407A , SL4409N , SL4410 , SL4421 , SL4435A , IRFP460 , SL4459 , SL4614 , SL4813A , SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P .
History: OSG65R040HT3F | AP4604P
History: OSG65R040HT3F | AP4604P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249