SL4449A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL4449A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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SL4449A Datasheet (PDF)
sl4449a.pdf
SL4449A -30V/-7A P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High density cell design for Low RDS(ON)34m@10VD2S1-30V -7A High Speed switching D154m@4.5VApplicationD Battery protectionDD Power managementD Load switchD D D D SSSG4449A : Device codeXXXXXX : Code4449ASOP-8
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Liste
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